Aixtron und Ohio State University forschen gemeinsam an Halbleitern der Zukunft
Ariane Rosenow
Aixtron und Ohio State University forschen gemeinsam an Halbleitern der Zukunft
Aixtron stärkt Rolle in der Spitzenforschung für Halbleiter durch Partnerschaft mit der Ohio State University
Aixtron baut seine führende Position in der Halbleiter-Forschung weiter aus und arbeitet nun mit der Ohio State University (OSU) zusammen. Im Rahmen der Kooperation wird am Nanotech West Lab der OSU ein spezialisiertes Metallorganische Gasphasenepitaxie-System (MOCVD) installiert. Dieser Schritt unterstreicht Aixtrons Fokus auf Materialien der nächsten Generation wie Galliumoxid, das die Leistungselektronik revolutionieren könnte.
Während viele Wettbewerber weiterhin auf etablierte Halbleiter setzen, forscht Aixtron bereits an fortschrittlichen Verbindungen, die für Hochspannungs- und Extremtemperatur-Anwendungen ausgelegt sind.
Das Institute for Materials and Manufacturing Research der OSU wird Aixtrons Close Coupled Showerhead® (CCS)-System nutzen, um Galliumoxid- und Aluminium-Galliumoxid-Schichten herzustellen. Die CCS-Technologie ermöglicht dünne Schichten von herausragender Gleichmäßigkeit und Qualität – ideal für die Erforschung von Halbleitern mit ultrabreitem Bandabstand. Diese Materialien sollen herkömmliches Silizium und Siliziumkarbid in anspruchsvollen Umgebungen übertreffen.
Die Zusammenarbeit mit der OSU ist Teil einer umfassenden Strategie von Aixtron, um bei aufstrebenden Halbleitertechnologien eine Vorreiterrolle einzunehmen. Auch andere Einrichtungen weltweit treiben die Galliumoxid-Forschung voran: So hat die Zhejiang-Universität in China unter der Leitung von Professor Yang Deren ein kostengünstiges Verfahren zur Herstellung von vier Zoll großen Galliumoxid-Wafern entwickelt. Gleichzeitig forschen das Yongjiang-Labor und die Universität der Chinesischen Akademie der Wissenschaften unter Professor Wenrui Zhang an der Epitaxie von Galliumoxid-Dünnschichten auf Saphirsubstraten.
In Peking baut MIG Semiconductor integrierte Produktionslinien für Galliumoxid-Wafer auf – von der Kristallzüchtung bis zur Endprüfung. Das Institute of Applied Physics and Materials Engineering (IAPME) der Universität Macau veranstaltet regelmäßig Seminare zu Galliumoxid-Epitaxie und Anwendungen in der Bauelementetechnik. Aixtrons frühe Investitionen in diese Technologien verschaffen dem Unternehmen einen klaren Vorsprung, während die Branche zu effizienteren Leistungshalbleitern übergeht.
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Die Partnerschaft mit der OSU festigt Aixtrons Stellung als führender Anbieter von MOCVD-Technologie. Der Fokus auf Galliumoxid und andere Materialien mit ultrabreitem Bandabstand entspricht der wachsenden Nachfrage nach Hochleistungshalbleitern. Da Forschungseinrichtungen und Hersteller weltweit die Entwicklung beschleunigen, könnten diese Materialien die Leistungselektronik in extremen Umgebungen bald neu definieren.
